英飞凌推出用于5G无线基础设施的GaN射频功率晶体管

英飞凌科技股份公司（Infineon）近日宣布推出碳化硅基（SiC）氮化镓（GaN）射频功率晶体管。该产品协助移动基站打造体积更小、功能更强大，且具弹性的发射器，支持蜂窝网络。此外，由于具备更高的数据传输量，强化用户经验，为5G技术的转型铺路。

英飞凌射频功率晶体管产品线副总裁兼总经理Gerhard Wolf 表示，“新产品系列结合了创新与蜂窝基础架构需求的应用知识，为全球客户提供新一代的射频功率晶体管。它们不仅大幅提高作业性能，并减小移动基站发射器端的体积。此外，随着转换至宽能隙半导体技术，让我们引领着蜂窝基础架构的持续演进。”

新射频功率晶体管运用氮化镓技术的性能，比现今常见的LDMOS晶体管效率提升百分之十，功率密度更达五倍。这意味着当前所使用基站发射器(操作频率范围在1.8GHz～2.2GHz或2.3GHz～2.7GHz)的功率放大器在同样的功率需求下只需更小的体积。未来碳化硅基氮化镓产品也将支持频率范围高达6GHz的5G移动频段。