Qorvo® 新款GaN 50V 晶体管可大幅提升系统功率性能

2016-06-02 来源:微波射频网 字号:

不断壮大的GaN 系列的最新成员,专门用于提升雷达、通信及航空电子等系统的功率性能

移动应用、基础设施与航空航天、国防等应用中领先的RF解决方案供应商Qorvo, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布,推出六款全新50V氮化镓(GaN)晶体管---QPD1009和QPD1010,以及QPD1008(L)和QPD1015(L),专门设计用于优化商业用雷达、通信系统及航空电子应用的功率性能。

Qorvo 国防与航空航天产品总经理Roger Hall表示:“全新50V GaN晶体管系列通过提供更高功率增益和功率附加效率来提升系统性能。Qorvo可以更好地实现相位阵列雷达等先进设备的要求,提供更高性能,同时管理好尺寸、成本和功率。”

Qorvo的全新50V GaN晶体管系列可通过更出色的系统级效率大幅节省操作和系统成本。该系列采用小尺寸和较高阻抗输入/输出引线,可帮助优化雷达、通信、航空电子、宽带放大器和测试仪表的电路板设计。

QPD1009和QPD1010现在采用低成本的3x3mm QFN塑料封装,而QPD1008(L)和QPD1015(L)现在则采用行业标准的热性能增强型NI-360气腔陶瓷封装,提供有耳式和无耳式版本。该GaN晶体管系列的工作功率水平为10W至125W。

Qorvo® 新款GaN 50V 晶体管可大幅提升系统功率性能

Qorvo是全球领先的GaN RF供应商*。自1999年起,Qorvo 就一直在推动GaN研究和创新,提供经过检验的GaN电路可靠性和紧凑型、高效率产品。Qorvo于2014年完成了GaN on SiC计划。公司还是唯一一家达到制造成熟度(MRL)9级的GaN供应商。Qorvo一直推动GaN产品的下一代系统创新(从直流到Ka频段),凭借其可靠性能、低成本维护和长运行寿命,成功实现从工厂到现场的转变。

产品 Psat (W) 频率(GHz) 输出功率(P3dB) PAE (%) SS 增益(dB) 封装(mm)
QPD1009 15 DC-4 42 72 24 3x3 QFN
QPD1010 10 DC-4 40 70 25 3x3 QFN
QPD1008 125 DC-3.2 51 70 18 Earless NI-360
无耳式NI-360
QPD1008L 125 DC-3.2 51 70 18 Eared NI-360
有耳式NI-360
QPD1015 65 DC-3.7 48 70 20 Earless NI-360
无耳式NI-360
QPD1015L 65 DC-3.7 48 70 20 Eared NI-360
有耳式NI-360

关于Qorvo

Qorvo (Nasdaq: QRVO)是移动应用、基础设施与航空航天、国防等应用中领先的RF解决方案供应商。Qorvo致力于为实现全球互联的各种应用提供解决方案,并拥有业内最广泛的产品组合和核心技术;通过ISO9001、ISO 14001和ISO/TS 16949认证的世界级工厂;面向砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、体声波(BAW)产品与服务并经过美国国防部(DoD)认可的“可信任供应商”(1A级)。Qorvo的调制器驱动器、TIA 和线性驱动器广泛应用于全球的许多10、40和100+G 光学系统中。这些器件不仅可支持更高数据速率所需的尺寸、功率和性能,而且还满足新一代光纤网络的高线性度要求。

主题阅读: Qorvo  氮化镓