TriQuint新圣何塞设计中心举行落成庆祝仪式

2011-05-04 来源:微波射频网 字号:

TriQuint半导体公司在4月19日为其扩建后的圣何塞CA设计中心举行落成剪彩仪式和员工感谢活动。TriQuint将从原来35,000平方英尺的设计中心迁移到这个52,000平方英尺的新设计中心,新中心有更多专用实验室和会议区域,并为再增加多达50%的员工留有余地。该中心通过设计和测试放大器、LNA、VCO、数字步进衰减器、混频器和集成模块来支持针对许多市场的产品开发,包括网络基础设施(基站、CATV、WLAN和WiMAX)和移动设备市场。“TriQuint的创新RF解决方案推动了我们的成功”,TriQuint副总裁Brian P. Balut表示,“圣何塞设计中心及我们所有主要北美地区制造工厂的发展证明了我们对全球客户所做的承诺,这就是简化RF连接、降低总成本和改进性能。”

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