中兴通讯牵头的2016国家重点专项“面向下一代移动通讯的GaN基射频器件关键技术及系统应用” 项目启动会召开

11月8日，由中兴通讯股份有限公司牵头组织，北京大学、山东大学、西安电子科技大学、清华大学、中国科学技术大学、西安交通大学、中山大学、苏州能讯高能半导体有限公司、山东天岳先进材料科技有限公司，合肥彩虹蓝光科技有限公司等十三家单位积极参与的，2016年度国家重点研发计划“战略性先进电子材料”专项启动会在中兴通讯总部召开。科技部高技术中心和深圳市科创委相关领导专家出席会议。

2016年度国家重点研发计划“战略性先进电子材料”专项“面向下一代移动通信的GaN基射频器件关键技术及系统应用“于2016年7月立项。目前全球用于移动通讯基站射频功率器件的市场规模超过10 亿美元，基本被美欧企业垄断。作为下一代通讯基站功率放大器的主流器件的GaNHEMT技术的产品化应用正在起步阶段，项目组囊括了国内射频GaN领域，从材料、器件、到应用整个产业链最优秀的高校、科研院所、企业，项目将通过4G和5G需求的拉动，带动国产射频GaN产业链全面成熟，从而实现对国外竞争对手的弯道超车。

启动会由中兴通讯股份有限公司无线研究院副院长别业楠主持。中兴通讯股份有限公司副总裁张万春发表了致辞，希望通过中兴通讯的系统应用需求拉动国产GaN器件批量应用，同时他表示中兴通讯会配合国家产业政策，在高技术中心的指导下，从资源、人力，管理等方面全力支持该项目研发工作。

科技部高技术中心和深圳市科创委领导在会上做了重要讲话。科技部高技术中心领导介绍了重点专项管理方案、管理流程及常见问题，特别强调项目法人责任制，项目和子课题之间沟通协作机制和平台的建立，真正实现“一个共同体，一个目标“。科创委领导代表深圳科创委表示将对该项目给予大力支持。

同时，项目组聘请西安电子科技大学郝跃院士、北京大学沈波教授、中科院苏州纳米所徐科教授、中国电力科学研究院邱宇峰副院长、中国电信北京研究院赵慧玲副院长为项目咨询专家，几位专家结合当前竞争态势以及中兴通讯的优势给出项目运作建议并指出项目关键点所在。

中兴通讯是全球四大通信设备商之一，能够准确把握未来移动通信系统的需求。项目组的器件研制单位是国内仅有的具有CaN器件批量能力的单位。该项目启动会的正式召开，是GaN国产化科研历程的标志性里程碑。预祝项目圆满达标，为我国在第三代半导体射频功率领域建立先导地位做出重要贡献！