比利时EpiGaN公司参与欧盟新启动的“硅基高效毫米波欧洲系统集成平台”项目，提供的核心GaN/Si射频材料技术

比利时EpiGaN公司主要生产功率开关、射频和传感器用的硅基氮化镓（GaN-on-Si）和碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）外延晶圆，该公司是欧盟在2018年1月份启动的为期36个月的欧盟研究项目SERENA（硅基高效毫米波欧洲系统集成平台）的重要成员。

SERENA项目成员

该项目成员共有十个主要的工业和学术合作伙伴：包括奥地利TECHNIKON GmbH（项目负责单位）、瑞典爱立信AB、英飞凌科技奥地利AG、比利时EpiGaN NV、法国Ommic SAS、瑞典国防研究局、德国弗劳恩霍夫应用研究协会、希腊通信与计算机研究所系统、瑞典查尔姆斯理工大学和德国柏林工业大学。

SERENA项目目的

SERENA项目旨在为毫米波多天线阵列开发波束形成系统平台，并实现超越主流CMOS集成的混合模拟/数字信号处理架构的功能性能。

SERENA项目的目标是用于优化毫米波多天线阵列系统的功率效率和成本的概念验证原型。该架构将适用于广泛的应用场景，例如安全雷达、高速无线通信以及用于5G和自主车辆的成像传感器等，所有这些应用都依赖于有源天线阵列和电子束控制。根本挑战是以可行的价位和低能耗为毫米波应用生产高性能天线系统。

EpiGaN公司GaN外延技术

SERENA将基于GaN-on-Si技术和封装技术的突破，该GaN外延技术将由EpiGaN公司提供。该公司技术凭借其原位SiN盖层提供了优秀的表面钝化和器件可靠性。此外，还可以在现有的标准硅基CMOS生产线实现无污染处理。原位SiN结构可以使用纯和超薄氮化铝（AlN）层作为阻挡材料。通过减少短沟道晶体管效应实现毫米波性能。

EpiGaN首席执行官Marianne Germain博士表示：“RF-GaN技术比现有的LDMOS或GaAs技术具有更重要的性能优势，如更大的带宽和更高的能效。我们的硅基GaN技术可提供出色的功率密度和功率附加效率（PAE），卓越的增益以及低至100GHz的射频损耗。通过专门针对毫米波设计的半导体技术，我们的客户能够为多种射频应用实现卓越和差异化的器件性能。”

GaN技术是5G关键技术

GaN是实现5G无线通信的关键因素，5G需要异常高速的多媒体流、虚拟现实、M2M或自动驾驶连接。EpiGaN指出，完全开发的物联网（IoT）将需要更低的延迟并提升频谱和能源效率。为了满足这些应用需求，5G系统需要依靠诸如GaN等新型半导体技术来推动这些创新。