集成无源元件对PCB技术发展的影响

IMEC的薄膜技术也是采用电镀铜做为连接线路，BCB做为介电层，Ni/Au层做为最终连接面金属，使用多达4层的金属层。其IPD结构如图3所示。

（3）Dai Nippon

Dai Nippon发展的IPD电阻以Ti/Cr为主，电容采用阳极氧化形成Ta2O5的制程，电感设计为有微带线和螺旋电感，线路以铜为主。如图4所示。

（4）SyChip

SyChip发展的IPD以TaSi为电阻材料，电容的介电材料为Si3N4，上电极为Al，下电极为TaSi，电感和线路材料都采用铝。如图5所示。

有一些公司正在采用MEMS工艺来发展IPD，如PHS MEMS公司，据该公司解释，制造MEMS元件的方法基本上来自IC产业。同时，一些老牌公司在开发相关技术的同时，也通过收购等手段获得市场和技术，如村田（Murata）就收购了SyChip公司，期望通过该次收购扩张其在射频应用市场的份额。

4、薄膜集成无源元件技术的结构与制程

薄膜制程与厚膜制程最大的差异就在于产生的膜厚，一般所谓的厚膜厚度多在5μm ~ 10μm以上，而薄膜制程产生的膜厚约在0.01μm ~ 1μm之间。

如果利用薄膜制程同时形成电阻、电容、电感的元件，需要用不同的制程与材料来制作。薄膜技术应用在半导体集成电路制程，技术发展已经相当成熟，所以在进行制程整合时，只需注意不同元件间材料的相容性，即可达成制程的设计。

整体而言，薄膜IPD集成无源元件，可因不同的产品应用，制作在不同的基板上，基板可选择硅晶片、氧化铝陶瓷基板、玻璃基板，薄膜IPD集成无源元件技术可以集成薄膜电阻、电容和电感于一体，其制程技术开发，包括：微影加工技术、薄膜沉积加工技术、蚀刻加工技术、电镀加工技术、无电极电镀加工技术，整个加工流程如图6所示。除了无源元件的整合，在硅晶片上也可以结合主动元件的制程，将无源元件与主动元件电路整合以达到多功能化的需求。下面就薄膜电阻、电容和电感的加工分别作简单介绍。