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MOS 管开关损耗测试

发布时间：2018-02-05视频时长：04:50我要评论(0)

主题视频：示波器

Roc(朱华朋)

开关管作为开关电源产品中最贵的元器件之一，也是最容易损坏的元器件。一般开关管的损坏有两种原因：一个是温度，一个是Vds电压超标。

昨天我们讲解了Vds电压测试注意事项，相比之下，开关管温度测试较为简单，但是只测量元器件表面温度还远远不够，因为元器件最大耐受温度都是基于内部晶圆定义的，因此我们还需要知道开关管工作时的损耗，然后从表面温度推算出晶圆的温度以判断该元器件是否能够使用，开关损耗的精确测量是电源行业的一大难点。

回到今天的‘示波器日日谈’题目：示波器能否精确测量MOS管开关损耗？答案是：否，相比很多仪器（万用表，功率分析仪等），示波器从来就不是一个精确测量的仪器。

但是针对这种高带宽瞬态测量，往往也只有示波器能够胜任，示波器测试结果和测试手法有很大的关系；使用标准的测试方法，能够使您的测试更加准确同时更具备可重复性，使用示波器测量开关损耗主要注意以下几点：

1、通道延时校准：

开关损耗就是测量开关管开启和关断过程中电流和电压交叉乘积的积分，这个过程一般只有几纳秒到十几纳秒。而示波器电流通道和电压通道之间一般会有2-9纳秒的时间延迟。

大家可以想象，这个时间延时将会对测试结果产生极大的影响，这也是示波器测量MOS管开关损耗最容易忽略的必要程序，如果没有事先做通道延迟校准，测量开关损耗没有任何意义。

是德科技提供U1880A 偏移校正夹具，支持一键消除不同探头的传播时延差异，提高开关电源测量精度。

下面是测量同一颗MOS管关断损耗在通道延时校准前后的结果对比：

2、探头校准

特别是电流探头的归零和消磁（电流探头发生过流，强磁场下使用过，或者长时间使用时，都要进行消磁以保证测试的准确性）

3、电流探头要放到MOS管的漏端

很多用户利用示波器测量MOS管开关损耗时，习惯于把电流探头放到更低电平的位置即MOSFET管的源极，因为MOSFET管开启关断电压是以源极为基准（Vgs），而电流探头测量时需要把PCB上铜箔断开然后串入一根更长的线，这根线引入的寄生电感极易造成Vgs电压振荡。

会影响到MOS管开启关断过程，甚至会造成MOS管损坏。在进行开关损耗测量时，推荐把电流探头放到MOS管的漏极进行测试。

开关电源行业最容易出错的三个测试点：电压纹波，Vds电压，开关损耗等已经讲解完了，希望对大家有所帮助，明天我们会讲解开关电源行业第一重要的测试：环路响应（波特图）。敬请期待！