2017年由氮化镓所推动的射频功率半导体市场市值达15亿美元

2018-05-16 来源:国防科技信息网 我要评论(0) 字号:

[据今日半导体网站2018年5月3日报道]市场分析公司ABI的研究数据显示,2017年射频功率半导体(<4 GHz&>3 W)的市场规模接近15亿美元。无线基础设施领域方面与往年持平,但在其他领域,特别是军事、国防等领域,射频功率半导体正在蓬勃发展。该公司补充说,氮化镓(GaN)将长期被视为射频功率半导体领域的中崭新的“首选材料”,未来其将占据更大的市场份额。

“氮化镓有望在2018年获得一定的市场份额,并预计其在未来几年内将成为一种重要的趋势”,Lance Wilson总监指出。“氮化镓弥补了砷化镓和硅基LDMOS两种老式技术之间的差距,在体现砷化镓高频性能的同时,结合了硅基LDMOS的功率处理能力”,他补充道,“目前,氮化镓已经是一项主流技术,并占有了一定市场,未来将占据更多的市场份额。”

无线基础设施虽然占射频功率半导体市场总销售额的三分之二之多,但近年来增速趋于乏力。而无线基础设施以外的其余部分在2018-2023年的预测期内将呈现中速增长。

在国防领域以外的射频功率半导体业务中,尤其是以商业航空电子和空中交通管制为代表的垂直市场,射频功率半导体显示出了最为强劲的上升势头,而Lance Wilson形容其为“一个极其重要的市场”。报告指出,虽然这些设备的生产商主要集中于工业化国家,但在现在这样一个细化的全球化市场,终端设备买家可在全球任何地方购买到该类产品。

这些研究结果来自于ABI公司的射频功率半导体市场数据报告以及相应的射频功率半导体,包括:硅基、氮化镓、砷化镓等大功率射频器件的协同对比说明。该报告是该公司5G和移动网络基础设施研究服务的一部分。(工业和信息化部电子第一研究所  宋文文)

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