Qorvo®推出业内最强大的GaN-on-SiC晶体管

2018-03-21 来源:微波射频网 我要评论(0) 字号:

关键型IFF和航空电子应用的信号完整性和范围得到大幅提升

移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF 解决方案的领先供应商Qorvo®, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)RF晶体管--- QPD1025。QPD1025在65 V下运行1.8KW,提供出色的信号完整性和更大的范围,这对L频段航空电子应用来说至关重要。

Strategy Analytics公司的战略技术实践执行总监Asif Anwar表示,“Qorvo的QPD1025晶体管对市场来说是真正颠覆性的产品。提供与硅基LDMOS和硅双极器件相比,它不仅具备相同的脉冲功率和占空比性能,在效率上还有了显著提升。Qorvo推出的这款高功率和高效率解决方案,在热管理工艺流程中无需采用金刚石等耐高温材料,具备极高的高性价比。”

Qorvo高功率解决方案部总经理Roger Hall表示,“这款新型高功率晶体管无需结合放大器的复杂操作便可实现数千瓦的解决方案,能够大幅节省客户的时间和成本。与LDMOS相比,QPD1025的漏极效率有了显著提升,效率高出近15个百分点,这对IFF和航空电子应用来说都非常重要。”

Qorvo提供业内种类最多、最具创意的GaN-on-SiC产品组合。Qorvo产品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工艺成熟的特点,早在2000年就开始批量生产。有关Qorvo的GaN-on-SiC产品优势的更多信息,请参见这里和观看视频。

QPD1025的工程样品现已上市。

QPD1025 1800 W65 VGaN RF输入匹配晶体管
频率范围:1.0至1.1 GHz
线性增益:22.5 dB(1.0 GHz负载牵引时)
PAE3dB典型值:77.2%(1.0 GHz负载牵引时)
支持CW和脉冲模式
封装:4引脚NI-1230(无耳式)
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