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MOSFET（金氧半场效晶体管）器件设计教程

2016-08-15 我要评论(0) 字号：大中小

主题资源： MOSFET LDMOS CMOS

资料语言：	简体中文
资料类别：	Office文档
文件大小：	561KB
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更新时间：	2016-08-15 09:04:40
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资料简介

金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

Agenda

一、CMOS

1、器件设计流程

2、器件形成及影响因素

3、短沟MOSFET的考虑

二、HV MOS-LDMOS

1、器件设计流程

2、高压器件的表征参数

3、高压器件尺寸和结构设计

4、高压器件特有的DC效应

三、Question

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