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网站首页 > 下载 > 教程/讲义 > 高频电路
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  • 微波部件无源互调的分段幂级数行为模型

    微波部件无源互调的分段幂级数行为模型

    建立了分段幂级数模型,对微带线PIM进行了计算,详细分析了幂级数模型阶数和所取分段数据点长度对预测结果的影响规律,得到了11阶幂级数、7个数据点的预处理分段幂级数模型。

    更新时间:2017-03-21
    星级:
    大小:2.30 MB
  • 微波平面电路无源互调研究国外进展

    微波平面电路无源互调研究国外进展

    具有非线性特性的电路、器件等,在多信号(2个及以上)激励下,产生与激励信号频率不同的新信号的现象称为互调现象。依据产生互调的器件是有源器件还是无源器件,可将互调...

    更新时间:2017-03-19
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    大小:3.58MB
  • 射频电连接中的电接触问题 —从波导连接谈起

    射频电连接中的电接触问题 —从波导连接谈起

    1 在同一次连接过程中,Rc每减小一个数量级,PIM近似减小60dB;2 不同次连接时,由于非线性源和接触电阻的涨落,PIM存在较大的波动;3 通过简化模型推导得到了Rc波动...

    更新时间:2017-01-09
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  • 英飞凌移动应用射频前端解决方案讲义

    英飞凌移动应用射频前端解决方案讲义

    本次研讨会将详细介绍英飞凌射频二极管和射频晶体管在典型和非典型RF无线通信的应用,以及如何使用英飞凌独特的技术优势极大发挥用户产品性能。

    更新时间:2016-09-14
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    大小:3.17MB
  • 射频及微波固态功率放大器

    射频及微波固态功率放大器

    采用前馈技术优点是能大大改善功放的线性度,缺点是成本较高、难度大、功放的效率会比较低,这种技术近几年在国内外已经得到了广泛的应用。

    更新时间:2016-08-22
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  • MOSFET(金氧半场效晶体管)器件设计教程

    MOSFET(金氧半场效晶体管)器件设计教程

    金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)...

    更新时间:2016-08-15
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  • LDMOS器件参数测试详解

    LDMOS器件参数测试详解

    LDMOS是在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求,常用于射频功率电路。LDMOS能经受住高于双极型晶体管3倍的驻波比,能在较高的反射功...

    更新时间:2016-08-15
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  • MMIC学习手册

    MMIC学习手册

    MMIC的设计思想:从传统的以“掺杂工程”为基础的理论变为以“调节”化合物中个元素成分而改变其能带结构的“能带工程”原理。

    更新时间:2015-09-03
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  • 负载牵引测试系统--放大器设计

    负载牵引测试系统--放大器设计

    Maury 的负载牵引测试系统( ATS )是对运行于非线性区域的功率器件进行特性分析的一种基本工具。对于非线性半导体器件而言,谐波产生后也会带走能量,因此如何控制相...

    更新时间:2015-09-02
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  • 【中兴通讯】射频功放设计指南

    【中兴通讯】射频功放设计指南

    随着社会的进步与生产力的高速发展,人们迫切地需求在远距离准确地传输信息,这使得无线通讯(尤其是个人无线通讯)取得了迅猛的发展。其中占无线通讯设备 35%左右成本的...

    更新时间:2021-10-29
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