GlobalFoundries宣布面向无线连接和人工智能应用推出22FDX+ RRAM技术

GF 嵌入式存储器产品组合中的最新技术现已可用于原型开发

GlobalFoundries（纳斯达克 股票代码：GFS）（GF）近日在加利福尼亚州举行的年度技术峰会上宣布推出采用电阻式 RAM（RRAM）技术的 22FDX+，标志着公司嵌入式非易失性存储器（eNVM）解决方案组合取得了重大进展。新的 RRAM 技术与高性能、超低功耗的 22FDX® 平台相结合，可为无线微控制器和人工智能物联网应用的代码存储提供安全、低延迟、高密度的嵌入式存储器。

GF 的嵌入式 RRAM 采用业界公认的 OxRAM 技术设计，具有低功耗读/写、高耐用性和出色的保持能力，是经济高效的存储器。与 GF 增强型 22FDX 平台的片上集成可提高数据保持率、可靠性、安全性和能效，为智能互联设备打造紧凑、多功能的片上系统 (SoC) 解决方案。

RRAM 的高密度和可扩展性非常适合依赖边缘高性能智能的人工智能物联网设备，如传感器、可穿戴设备和工业系统。22FDX+ RRAM 还能为神经网络提供权重存储，从而实现更有效、更复杂的网络。

"GF超低功耗CMOS产品线高级副总裁Ed Kaste表示："我们很高兴将22FDX+ RRAM加入到GF不断增长的差异化技术组合中，这些技术具有边缘高能效互联智能所需的先进功能。"我们的最新解决方案在密度、性能和能效方面实现了引人注目的完美结合，非常适合应对下一代人工智能和互联设备的挑战。

"Nordic Semiconductor 短距离执行副总裁 Oyvind Strom 表示："GlobalFoundries 是 Nordic Semiconductor 的重要合作伙伴，因为我们正在为下一代互联产品和人工智能设备推动超低功耗无线解决方案的发展。"我们欢迎 GF 推出嵌入式 RRAM，认为这是实现安全、可扩展和高能效边缘智能的重大进步。这种通过弹性全球供应链提供的创新对于满足互联系统对性能、可靠性和可持续性日益增长的需求至关重要。

22FDX+ RRAM 的宏观初步设计工具包可通过 GF 的自助式 GF Connect 门户网站获取，以帮助启动设计流程。在几家关键客户的推动下，预计将于 2026 年实现量产。未来几代嵌入式 RRAM 技术和其他平台的部署正在开发中。

关于 GF

GlobalFoundries (GF) 是全球生活、工作和连接所依赖的重要半导体的领先制造商。我们不断创新并与客户合作，为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施和其他高增长市场提供更节能、更高性能的产品。GF 的生产足迹遍布美国、欧洲和亚洲，是全球客户值得信赖的可靠供应商。每天，我们才华横溢的全球团队都在不懈地专注于安全性、使用寿命和可持续发展，为客户创造成果。欲了解更多信息，请访问www.gf.com。