Altera开发套件选择赛普拉斯的QDRII和QDRIISRAM器件

2011-10-27 来源:微波射频网 字号:

  SRAM 领域的业界领先者赛普拉斯半导体公司日前宣布,Altera 已在其 28 纳米 Stratix V GX FPGA 开发套件中选用赛普拉斯的 Quad Data Rate II (QDRII) 和 QDRII SRAM。赛普拉斯 SRAM 使 Stratix V FPGA 开发套件能够实现高达 100 Gbps 的线路速率。

  Stratix V GX FPGA开发套件可提供完整的设计环境,有助于启动Altera高性能28纳米FPGA的开发工作,从而充分满足诸如网络线路卡、高级LTE基站、高端射频卡和军用雷达等各种不同应用的需求。该套件可帮助设计人员采用最新协议(PCIe Gen3)和存储器子系统(包括DDR3、QDRII和QDRII等)开发并测试Stratix V GX FPGA。Stratix V GX FPGA开发板上4.5-MB的QDRII存储器可通过器件的硬存储器控制器连接到FPGA,从而实现最高性能和最低延迟。

  QDRII器件采用On-Die Termination(ODT)技术,不仅能显着提高信号完整性,降低系统成本,而且还消除了采用外部终端电阻的麻烦,从而可大幅节省板卡空间。上述器件的容量高达144Mbit,速率则达550MHz。如果选择可选的突发为4,则144-Mbit QDRII能实现每秒5.5亿次的事务处理,工作循环延迟为2.5;如果突发为2,则每秒能实现高达6.66亿次的事务处理,达到目前业界最高的存储器接口性能。65纳米的SRAM理想适用于众多网络应用,如核心和边缘路由器、固定和模块化以太网交换机、3G基站和安全路由器等。此外,上述器件还可显着提升医疗成像和军用信号处理系统的性能。

  Altera负责高端产品业务的高级市场经理Bernhard Friebe指出:“赛普拉斯的QDRII和QDRII可提供目前高性能网络解决方案所需的高速度、高容量和低延迟性能。我们的Stratix V FPGA可支持诸如QDRII和QDRII等最新存储器技术,能帮助客户最大限度地实现其终端系统的能力。

  赛普拉斯同步 SRAM 业务部的高级总监 Sudhir Gopalswamy 指出:“Stratix V FPGA 可将网络性能逐步提升到前所未有的全新高度。我们非常高兴能推出高性能的存储器技术,帮助客户充分利用技术进步带来的优势。

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