恩智浦全波段UHF射频方案和MOSFET方案获业界殊荣

恩智浦半导体业界首款Doherty架构超宽带射频解决方案和双通道Power-SO8 MOSFET方案，近日分别荣获业界殊荣，摘得由环球资源(Global Sources)旗下《电子工程专辑》于今年3月1日颁发的“2013中国年度最佳射频/无线产品奖”和“2013中国年度最佳功率器件/电压转换器产品奖”。

恩智浦全波段UHF Doherty架构射频方案以其独一无二的技术，令数字发射机制造商用户能够享受到Doherty功率放大器提供的高效率增益，并得到极大扩展的带宽。

Power-SO8 MOSFET具备市面上最佳的性能、电流处理能力和可靠性，大大减少了PCB板占位面积，令用户实现更多设计自由。

恩智浦这两款产品以创新的架构、成熟的开发环境和市场应用潜力，夺得“2013中国年度电子成就奖”的“最佳产品”殊荣。