ANADIGICS将在中国台北WiMAX馆中展示4G 技术解决方案

2010-06-04 来源:微波射频网 字号:

为展现对成长中WiMAX 市场持续投入的承诺,在6 月1 至5 日中国台北国际电脑展期间的2010 年台北WiMAX 主题馆中,ANADIGICS, Inc. (Nasdaq: ANAD) 将展示最新产品,以及众多采用WiMAX 技术的消费性产品。 ANADIGICS 的展位位于台北世贸中心展览一馆A503 ,届时ANADIGICS 将展示领先业界、支援WiMAX 行动通讯装置的产品,例如Samsung Mondi 手持式行动上网装置、Samsung-KT USB 数据机、Motorola-Clear USB 转接器、ZTE-Xohm USB 数据机及Franklin-Sprint USB 数据机。

WiMAX 市场在2010 年持续推进到新高峰,行动装置在新的部署中已逐渐取代定点装置。商用WiMAX 网路、试行网路及开发中网路的数量每个月都不断增加。根据分析公司In-Stat 的观察,新推出的装置不断促使市场成长,其中包括USB 硬体锁与内建最新WiMAX 功能的行动个人电脑,以及即将问世的WiMAX 手机。

ANADIGICS 宽频产品行销总监Glenn Eswein 表示,“ANADIGICS 一直是WiMAX RF 解决方案的领导供应商,长久以来与Beceem 及Samsung 等业界各大厂商密切合作,在WiMAX 问世初期便针对行动宽频消费者提供最高效能且最实用的产品。在本次的活动中,ANADIGICS期盼与各主要客户、合作伙伴及众多个人使用者,就3G 演进至4G的趋势相互交流。”

莅临中国台北WiMAX 主题馆将有机会一睹ANADIGICS多样性的产品,这些产品正是促使全球行动WiMAX 不断成长的要素。特别的是,ANADIGICS 将探讨下列PA 用于无线基础架构及行动WiMAX 应用所发挥的优点:
无线基础架构:

小蜂巢(small-cell)功率放大器
这些全新的3G/4G 功率放大器提供无线基础架构应用绝佳的线性与相邻频道功率效能,并能高效率运作。这些PA 适用于小蜂巢(small-cell)设备,例如femtocells、主节点(home nodes)及CPEs,并支援WCDMA、HSDPA 及LTE 无线传输介面的多载波运作。
AWB7123:1.93 至 1.99 GHz 频谱
AWB7227:2.11 至 2.17 GHz 频谱

第一代行动 WiMAX 功率放大器
这些WiMAX 功率放大器可达到绝佳的线性、以及可携式或行动应用的高效率。这些放大器的运作频带微2.5 GHz 至2.7 GHz,可支援IEEE 802.16e-2005 无线标准,以及IEEE 802.16d-2004 与ETSI EN301-021 标准。这些装置的制造采用可达到最佳可靠性、温度稳定性及强度的InGaP HBT 技术,能够整合相符的网路以发挥50Ω 系统的最佳效能。
AWT6261:2.5 至2.7 GHz、+25 dBm 线性输出功率
AWM6423:2.5 至2.7 GHz、+23.5 dBm 线性输出功率、整合衰减器及电源侦测器

第二代行动 WiMAX 功率放大器
对于可携式或行动应用的较大运作频宽,全新的4G 功率放大器可达到更高的输出功率、绝佳的线性及极高的效率。这些装置适用于手机、嵌入式个人电脑模组及USB 数据机/硬体锁,可支援IEEE802.16e 标准,并达到行动WiMAX 最大的传输功率及最长的电池使用时间。这些装置的制造采用可达到最佳可靠性、温度稳定性及强度的InGaP HBT 技术,能够整合衰减器与电源侦测器以及相符的网路,以发挥50Ω 系统的最佳效能。
AWT6264:2.3 至2.7 GHz、+25 dBm 线性输出功率
AWT6283:3.3 至3.8 GHz、+25 dBm 线性输出功率

关于ANADIGICS

ANADIGICS以业界领先的无线宽带功率放大器,协助推动无线宽带应用革命。作为全球公认领先地位的高容量GaAs RFICs制造商,ANADIGICS授权许多世界级OEM和ODM厂商,建立新世代无线网络相关产品,并延长产品电池寿命,缩小电池的尺寸。
ANADIGICS成立于公元1985年,总部设在美国新泽西州沃伦市,是高性能、高容量、低成本制造业的先驱(GaAs ICs)。现在,我们的RFIC能使制造商提高整体的系统效能、减少他们产品的体积与重量、提高电源效率、提高稳定性、降低制造成本与制程时间。我们的6吋GaAs制造工厂,使用尖端科技和制造工艺,以提供高质量的InGaP HBT, GaAs MESFET,和GaAs pHEMT RFIC产品。ANADIGICS具备世界级的集成能力,与它特有的专利InGaP - Plus™ 制程,并在InGaP GaAs同时衰减时,集成双极和FET结构。技术领先的地位,是我们维持生产先进产品的趋动力。

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