R&S CMW500和高通Gobi芯片完成了LTE-A cat6载波聚合全协议栈吞吐量测试

在罗德与施瓦茨（R&S）和高通（纳斯达克股票代码：QCOM）的共同努力下，Qualcomm® Gobi™9x35芯片组已经得到充分验证，完全满足3GPP Release 10 对于LTE-Advance 用户平面吞吐量测试的要求，并在今年的世界移动通信展会上进行了展示。R&S® CMW500宽带无线通信测试仪可以用于模拟LTE-Advance网络，并且是业内唯一一款既支持射频测试又支持协议测试的平台，其可以在单台仪表内支持全协议栈的验证。

罗德与施瓦茨和高通成功演示了高通最新的Gobi芯片组的能力，其可以完美支持LTE category 6 全部协议栈数据吞吐量测试。这一里程碑为移动运营商推进LTE-A载波聚合的商业化指明了方向。

结果表明，Gobi 9x35芯片组不仅可以支持两个载波聚合（每20MHz的带宽），在下行链路可以达到300 Mbps数据传输速率，还具有非凡的稳定性。基于该芯片组用户设备将使已经获得额外的频谱资源的移动运营商在未来可以为用户提供更高的峰值传输速率。有了这样的成就，罗德与施瓦茨和高通将会使整个产业链受益，加快LTE-Advanced载波聚合功能的商业化进程。

如果您的测试实验室正在寻找满足各类测试，具有最大灵活性的测试设备，那么R&S® CMW500是您的绝佳选择。R&S® CMW500宽带无线通信测试仪能够支持下行300 Mbps的IP层传输速率，在下行支持两个20MHz带宽的载波（包括2x2 或者4x2 MIMO方式），没有任何频段及带宽的限制。在此之前，方案针对LTE-Advance的载波聚合通常采用两个10MHz的载波，在category4下，可以达到150Mbps的下行速率。支持Cat6的终端可以使这一数值翻倍，即300Mbps。

目前罗德与施瓦茨公司提供LTE FDD 和LTE TDD 模式LTE-Advance下行载波聚合的射频测试和协议测试解决方案，并在2014年世界移动通信大会6号馆C40展台进行了展示。