北京汉天下推出用于3G智能手机的CMOS射频前端芯片

2015-11-26 来源:微波射频网 字号:

2015年9月,北京汉天下的芯片出货量突破7000万颗/月,再创历史新高。其中核心产品2G CMOS 射频前端芯片出货量近4000万颗,全球市占率排名第一,超过60%;3G 射频前端出货量超过1100万套/月,国内市占率第一,超过35%;2.4GHz自定义无线通信芯片出货量已超过300万颗/月,实现量的突破。

同时,北京汉天下还推出了业内首款3G CMOS工艺TX Module:HS8684CM。

HS8684CM是一款应用于3G智能手机的CMOS GSM/WGPRS 射频前端芯片,成为全球首颗CMOS GSM/WGPRS射频前端功率放大器芯片。该芯片采用标准成熟的CMOS工艺设计制造,将功率放大器和控制器集成在单一硅片上,采用汉天下成熟的CMOS PA设计技术和独特的效率提升技术,其关键性能媲美甚至超过了现有的GaAs工艺同类产品,而其成本远低于现有采用GaAs工艺的方案。

HS8684CM CMOS射频前端产品具备下述优点:

1)为现有3G GaAs射频功率放大器的立即替代产品,而且实现了完全的功能及管脚兼容,由GaAs转换到CMOS,CMOS PA的高集成、更短的生产周期可确保移动设备制造商们能够从改善的供应链、更高的可靠性和更低的成本中获益。

2) 采用标准CMOS工艺和Flip-Chip焊接技术,芯片具有优良的ESD防护性能和防潮性能,同时还集成有过压保护电路,电源具有优良的抗浪涌性能。

3)产品经过严格的老化应力测试和高低温负载牵引测试,鲁棒性高、性能稳定、品质可靠。

随着汉天下产品不断推陈出新,以及不断提供多样化的产品解决方案,预计2015年北京汉天下的芯片出货量将达到近6亿颗,相比2014年将实现60%的增长!

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