产能扩容完成,能讯半导体积极备战5G基站功放市场

2019-04-17 来源:微波射频网 我要评论(0) 字号:

能讯半导体于近期完成了生产线扩容项目,该项目总投资5亿元,旨在将能讯4吋GaN晶圆制造线扩容,并建设具有自动封装测试能力的生产线,为客户提供充足的产能支持,助力5G网络部署。

2019年,能讯半导体将陆续推出可量产的多款Sub-6GHz频段、不同功率等级,适合5G通信基站应用的系列产品, 包括陶瓷封装功放管、塑封功放管及多芯片模块(MCM)等等。

最近,公司完成了一款产品定型:D1H27260E1,工作频率范围2515-2675MHz,全频段内饱和功率达到260W。在平均输出功率28W时,其线性增益为14.5dB,开环线性接近-30dBc,线性效率大于51.5%。

D1H27260E1采用非对称Doherty架构,工作电压48V,封装形式为陶瓷780-4。其更高的效率减少了电路板上的功率损失,有效的改善了系统的热性能,适合5G通信应用。

产能扩容完成,能讯半导体积极备战5G基站功放市场

产品特色:

工作频率:2515-2675MHz         饱和功率:260W
线性增益:14.5dB         线性效率:51.5%
封装形式:陶瓷780-4
符合无铅和RoHS标准

产能扩容完成,能讯半导体积极备战5G基站功放市场

产能扩容完成,能讯半导体积极备战5G基站功放市场

Doherty PA脉冲测试性能:

偏置条件:Vds = 48V,Carrier Ids =200mA,Peak Vgs = -4.2V
测试信号:Pulse Width =100 µs, Duty Cycle = 10 %

产能扩容完成,能讯半导体积极备战5G基站功放市场

Doherty PA DPD性能:

偏置条件:Vds = 48V,Carrier Ids =200mA,Peak Vgs = -4.2V
测试信号:单载波WCDMA信号,PAR =7.5dB

能讯半导体还可提供多种GaN-on-SiC射频功率放大器。产品具有高效率、高增益、小尺寸、高可靠性的特点,欢迎垂询试用!

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