SiGe半导体推出QFN封装第二代WiMAX功率放大器

    全球领先的硅基射频(RF)功率放大器和前端模块(FEM)供应商SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor)进一步扩展其功率放大器产品系列，推出能够覆盖2.3-2.4 GHz和2.5-2.7 GHz两个WiMAX频段的单一大功率PA产品SE7271T，该器件能够减少材料清单(BOM)数目，降低成本，适用于USB 适配器(dongle)、数据卡、移动互联网设备和具有WiMAX功能之手机。

    SiGe半导体亚太区市场推广总监高国洪评论新产品称：“SiGe半导体拥有公认的系统知识和先进器件集成度技术，能够提供这款具有无与伦比的性能和效率的紧凑的、小占位面积PA产品。WiMAX最终代表着自由和移动性。借助SE7271T的低功耗特性，我们提供了移动设备用户一直期待的长电池寿命。”

    新型高整合度单芯片-SE7271T 是一款完全匹配的功率放大器产品、 并且在3mm x 3mm x 0.6mm四方扁平无针脚(QFN)封装内，整合了步进衰减器、功率检测器和谐波滤波器。该产品的功能性结合集成式阻抗匹配，创建了一个“即插即用”的解决方案，能够同时简化移动WiMAX产品的设计，并提升其可制造性。SE7271T具有较低的耗电量和较高的效率，能够减少电流消耗，从而延长具有WiMAX功能的手机、移动互联网设备和膝上型电脑的电池寿命。PA耗电量对于USB 适配器是至关重要的，因为USB 适配器的可用电源电流有限，这通常会使效率较低的PA强制降低RF输出功率，导致缩小网络覆盖范围并降低数据速率。

    高国洪评论道：“我们的竞争对手一直难以为客户提供实现移动WiMAX产品演进的关键价值点。他们的产品体积较大，或者不符合数据卡和USB适配器所需的温度范围；而另一些竞争产品则无法覆盖全部2.5 GHz WiMAX频段。SE7271T则能够提供完全的2.3-2.7 GHz覆盖范围、在高RF功率水平下具有更高效率、-40℃～85℃的工作温度范围、更低的封装高度，为移动WiMAX PA提供所有至关重要的性能。”

    领先的网络和电信行业市场信息提供商Dell’Oro Group指出，WiMAX用户预计将从2009年的700万增长至2013年的6900万。

    高国洪总结道：“如今的用户期待无论是使用有线或无线网络，都能够拥有宽带的速率和性能。WiMAX是在固定和移动环境中提供无线高带宽连接性的下一代标准，而我们的射频PA和FEM可提供OEM厂商和WiMAX用户所需的高可靠性、高灵活性和更佳性能。SE7271T提供集成式解决方案，让用户能够缩短设计时间，通过最小占位面积实现各种功能性，并减少所需的元件数目和成本，这些特性使得其成为USB 适配器、数据卡、移动互联网设备和具WiMAX功能的手机的首选器件。”

    SE7271T采用符合ROHS标准的无卤素、无引脚3mm x 3mm x 0.6mm QFN封装。
 
    价格和供货

    SiGe半导体现可提供SE7271T器件，订购1万片的价格为每片2.22美元。随同产品将提供产品与评测板的数据表，以及大量有关PA使用和实施的应用文档。

    SiGe 半导体能够提供出色的客户支持服务，帮助客户设计、升级和改良其应用设计中的SE7271T模块，从而优化性能。