RFMD GaN匹配功率晶体管锁定脉冲雷达应用

2012-07-02 来源:微波射频网 字号:

蒙特利尔,2012年6月18日——高性能射频组件及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq 股市代号:RFMD)宣布,发布高效率的280W脉冲氮化镓(GaN) RF匹配功率晶体管RFHA1025,可提供比竞争性硅晶功率技术更卓越的效能。

RFMD的RFHA1025可搭配日前发布的380W RF3928B,其为RFMD匹配功率晶体管系列的最高输出功率S波段组件。RFMD正扩大跨波段的氮化镓功率放大器晶体管产品组合,以提高其在雷达市场的地位。

RFMD的氮化镓匹配功率晶体管可延展范围,减少尺寸和重量,并为新式和现有的雷达结构提高整体耐用性。RFHA1025可作业于广泛的频率范围(0.96-1.2GHz),并提供280W的脉冲功率、>14dB 增益和 >55% 高峰值效率。此外,RFHA1025采用内部匹配,以简化和缩小设计者的电路。RFHA1025采用密封、法兰瓷封装,利用RFMD先进的散热片和功耗技术,提供优良的热稳定性和导电性。RFMD的RF393X不匹配功率晶体管(UPT)可以用来作为RFHA1025的驱动器。

RFMD将于加拿大Montreal Palais des congress举行的IEEE International Microwave Symposium中展示其GaN功率产品。

关于RFMD
RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq GS股市代号:RFMD)是高性能射频组件以及复合半导体
技术设计和制造领域的全球领导者。RFMD实现全球移动性,提供加强的连接性,支持蜂窝手持设备、无线基础设施、无线本地局域网 (WLAN)、CATV/宽频以及航空和国防应用的先进功能。RFMD半导体技术多样化产品组合以及RF系统专业技术享有业界知名度,是全球顶尖移动设备、客户终端设备以及通信设备提供商中的首选供应商。
 
RFMD总部位于北卡罗来纳州格林斯博罗,是一家在全球拥有工程、设计、销售及服务机构的
、且具ISO 9001、ISO 14001及ISO/TS 16949认证的制造商。RFMD在纳斯达克全球精选市场上市交易,交易代码为RFMD。更多信息,请访问RFMD网站www.rfmd.com 。

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