拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商IDT®公司(IntegratedDeviceTechnology,Inc.;NASDAQ:IDTI)宣布，已推出针对4G无线基站的业界最低功耗低失真多样化混频器。作为IDTZero-Distortion™系列产品之一，这款新器件可在降低长期演进（LTE）和时分双工（TDD）无线通信架构失真的同时降低功耗。IDT致力于为业界提供一个涵盖从天线到数字信号处理器（DSP）的完整射频卡信号链，新的LTE混频器正是该战略中的重要射频产品。
IDTF1162是一款低功耗、低失真双路2300-2700MHz射频到中频混频器，拥有超线性（+43dBm）三阶交调截取点（IP3O），可达到优异的互调抑制，是4G无线基站收发器中多载波、多模式蜂窝系统的理想选择。与竞争解决方案相比，IDTF1162改进IM3失真达18dB，同时降低40%功耗达业界领先（典型值为1150mW）。这些特性可降低射频卡的散热要求，并允许基础架构提供商采用更高的平均前端增益设置，从而实现更高的信噪比（SNR）。多达0.4dB的改进接收器SNR有利于无线通信运营商扩大覆盖面积和提高用户手机外围的可用数据率。
IDT公司副总裁兼通信部总经理TomSparkman表示：“我们最新的混频器产品又一次证明，IDT已进入面向无线基础架构的6亿美元射频卡市场。继之前推出IDTF1150和IDTF1152后，IDTF1162可提供更高的频率输入，满足客户期待从IDT获得的所有业界领先的优势。这些产品与来自IDT无线信号链解决方案产品组合的其他解决方案相得益彰，包括SerialRapidIO®、高性能时钟产品和数据压缩。”
IDTF1162提供上电快速稳定和恒定本地振荡器（LO）输入阻抗。这允许客户在时分双工（TDD）接收器插槽间降低混频器用电，从而进一步降低功耗。此外，这款器件经设计，可在一个100°的连续封装箱温度中运行，对于在密布远程射频头外壳内的IC来说，是一个重要特性。与IDT射频混频器系列的其他产品类似，IDTF1162与市场中现有的器件引脚相容，可提供令人信服的升级选择。
供货
IDTF1162目前正向合格客户提供样品，提供6x6毫米封装。
IDTF1162是一款低功耗、低失真双路2300-2700MHz射频到中频混频器，拥有超线性（+43dBm）三阶交调截取点（IP3O），可达到优异的互调抑制，是4G无线基站收发器中多载波、多模式蜂窝系统的理想选择。与竞争解决方案相比，IDTF1162改进IM3失真达18dB，同时降低40%功耗达业界领先（典型值为1150mW）。这些特性可降低射频卡的散热要求，并允许基础架构提供商采用更高的平均前端增益设置，从而实现更高的信噪比（SNR）。多达0.4dB的改进接收器SNR有利于无线通信运营商扩大覆盖面积和提高用户手机外围的可用数据率。
IDT公司副总裁兼通信部总经理TomSparkman表示：“我们最新的混频器产品又一次证明，IDT已进入面向无线基础架构的6亿美元射频卡市场。继之前推出IDTF1150和IDTF1152后，IDTF1162可提供更高的频率输入，满足客户期待从IDT获得的所有业界领先的优势。这些产品与来自IDT无线信号链解决方案产品组合的其他解决方案相得益彰，包括SerialRapidIO®、高性能时钟产品和数据压缩。”
IDTF1162提供上电快速稳定和恒定本地振荡器（LO）输入阻抗。这允许客户在时分双工（TDD）接收器插槽间降低混频器用电，从而进一步降低功耗。此外，这款器件经设计，可在一个100°的连续封装箱温度中运行，对于在密布远程射频头外壳内的IC来说，是一个重要特性。与IDT射频混频器系列的其他产品类似，IDTF1162与市场中现有的器件引脚相容，可提供令人信服的升级选择。
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IDTF1162目前正向合格客户提供样品，提供6x6毫米封装。
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