RFMD赢得DARPA GaN合同以提高高功率射频放大器性能

高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq 股市代号：RFMD）日前宣布，美国国防部高级研究计划署(DARPA) 授予其一项价值210 万美元的合同，以提高在高功率雷达和其他军事系统中使用的氮化镓(GaN) 电路的热效率。

授予本合同，是因为DARPA 寻求在热管理技术(TMT) 项目中的近结点热传输(NJTT) 方面取得突破。DARPA 在NJTT 方面的动议旨在通过改善近结点区域的热管理，使GaN 功率放大器功率处理性能提高3 倍甚至更多。RFMD 通过将热增强金刚石基板和自身行业领先的碳化硅衬底氮化镓高功率技术相结合，期望能显著提高功率密度和功率处理能力。

RFMD 功率宽频业务部的副总裁兼总经理Jeff Shealy 称：“RFMD 很高兴与DARPA 合作，将新技术运用于我们现有的基于GaN 的高功率射频放大器产品系列。我们期望NJTT 计划可以催生新一代更高性能、更小体积、更低工作温度、更高单位面积射频功率的射频高功率放大器(HPA)。”

RFMD 在此计划中的合作伙伴有乔治亚理工学院、斯坦福大学、Group4 实验室公司、及波音公司。乔治亚理工学院以其在热测试、建模和微拉曼温度记录方面的领先地位闻名于世。斯坦福大学是晶体管片芯内临界界面层热测量方面的全球领导者。Group4 实验室公司是金刚石基板开发方面的先驱。波音公司计划最终评估技术成果，评定其对未来防御体系的预计影响。

RFMD 从2000 年起一直是GaN 技术方面的领导者，并已通过生产发布两项高功率处理技术，客户可通过其开放式晶园铸造业务模式获取应用该项技术。RFMD 的GaN 功率器件已部署在多种防御和商业应用领域，包括雷达、军事通信、及有线电视基础设施。RFMD 是基于GaN 的有线电视宽带放大器领域的全球领导者，产品有出色的线性度和输出功率。RFMD 已向商业市场发售了逾35 万件基于氮化镓的有线电视放大器。

关于RFMD 
RF Micro Devices, Inc.公司（Nasdaq 股市代号：RFMD）是高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者。RFMD 产品可帮助实现全球移动性，提供加强的连接性，以及支持移动设备、无线基础设施、无线局域网（WLAN或WiFi）、有线电视(CATV)/宽带、智能能源/高级计量基础设施(AMI) 以及航空和国防市场中的高级功能。RFMD半导体技术多样化产品组合以及RF 系统专业技术享有业界知名度，是全球顶尖移动设备、客户终端设备以及通信设备提供商的首选供应商。

RFMD 总部位于北卡罗来纳州、Greensboro，是一家在全球拥有工程、设计、销售及服务机构的、且具ISO 9001、ISO 14001及ISO/TS 16949认证的制造商。RFMD 在纳斯达克全球精选市场上市交易，交易代码为RFMD。有关更多信息，请访问RFMD 网站：www.rfmd.com。