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  • 电子回旋共振等离子体源的数值模拟

    采用自洽微波功率吸收的二维混合模型,对电子回旋共振等离子体源中的各种物理参量(电离速率、等离子体密度、位势、电子温度)进行数值模拟.

    更新时间:2013-03-18
    星级:
    大小:233KB
  • 谐振腔链色散关系及场分布的解析研究

    从圆柱坐标系下的Borgnis位函数的齐次标量Helmholtz方程出发,引入慢波驻波概念及其场 表达式,利用Borgnis位函数的边界条件及相邻子区公共界面上的场匹配条件,导出了整...

    更新时间:2013-03-18
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    大小:413KB
  • 含克尔介质微波激射器的原子辐射率

    建立了含克尔介质微波激射器(micromaser with Kerr medium)的基本量子原理,分析计算了处于不同方式(热原子和超冷原子状态)下的二能级原子沿z轴穿过处于相干态的含克尔...

    更新时间:2013-03-15
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    大小:214KB
  • 电子回旋共振等离子体增强沉积氟化非晶碳薄膜的光学性质

    用紫外可见光透射光谱(UV-VIS)并结合键结构的X射线光电子能谱(XPS)和红外谱(FTIR)分析,研究了电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备的氟化非晶碳薄膜的光吸收和光学带隙性质.

    更新时间:2013-03-15
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    大小:239KB
  • 超冷V型三能级原子注入的微波激射:原子相干性对腔场光子统计的影响

    建立了超冷V型三能级原子注入的微波激射的腔场光子统计的量子理论,研究了原子相干性对光子统计性质的影响.

    更新时间:2013-03-15
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    大小:420KB
  • 向外发射同轴型虚阴极振荡器研究

    在高功率微波源研究领域提出了一种新型虚阴极器件——向外发射同轴型虚阴极振荡器.

    更新时间:2013-03-15
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    大小:252KB
  • 微波等离子体化学气相沉积方法在Si衬底上生长SiC纳米线

    应用微波等离子体化学气相沉积方法,在单晶Si(100)衬底上生长出SiC纳米线.

    更新时间:2013-03-15
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  • 纳米Si/C/N复相粉体的微波介电特性

    研究了纳米Si/C/N复相粉体在8.2—18GHz的微波介电特性,采用双反应室激光气相合成纳米粉体装置,以六甲基二硅胺烷((Me3Si)2NH)(Me∶CH3)为原料,用激光诱导气相反应法合成纳...

    更新时间:2013-03-14
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    大小:232KB
  • 不同CHF3/CH4流量比下沉积a-C∶F∶H薄膜键结构的红外分析

    通过微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积方法使用CH4/CHF3源气体制备a-C∶F∶H薄膜.红外结果表明,a-C∶F∶H薄膜随着流量比R=[CHF3]/[CHF3]+[CH4])的变化存在结构上的演变,R

    更新时间:2013-03-14
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  • 多晶硅薄膜低温生长中的表面反应控制

    摘要: 报道用SiF4和H2的间接微波等离子体化学气相沉积方法低温生长多晶硅(poly-Si)薄膜.实验发现,等离子体中的离子、荷电集团对薄膜生长表面的轰击是影响薄膜结晶质量的...

    更新时间:2013-03-14
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