Cypress扩增nvSRAM产品线推出从64kb至1Mb的产品支持I2C与第二代SPI

2011-03-29 来源:微波射频网 字号:

Cypress 半导体公司推出新款序列非挥发静态随机存取记忆体(nvSRAM),支持仪表、工业以及汽车等应用所常用的I2C与SPI界面。新款元件提供高达104MHz的运作时脉,支持各种SPI元件(I2C产品则支持至3.4MHz),并提供一款可选购的整合式即时时脉(RTC),针对备份的关键资料提供时戳功能。

Cypress的nvSRAM采用其S8 0.13微米SONOS(硅氧化硅)嵌入式非挥发记忆体技术,造就卓越可靠性与效能。对于各种要求绝对非挥发资料安全性的应用而言,例如智能电表、电力线通讯(PLC)、马达驱动器、行车记录器、磁碟阵列、医疗以及资料通讯系统等,nvSRAM是理想的解决方案。

新款序列式nvSRAM系列元件包含1-Mbit、512-Kbit、256-Kbit以及64-Kbit等各种组态版本。这些元件具备卓越的效能,以及高达104MHz的业界第一SPI运作频率,支持SPI Modes 0 与3模式、无限的读/写与RECALL记忆次数、以及长达20年的资料保存期。这些元件符合业界标准的小底面积8-SOIC与16-SOIC封装。

Cypress公司非挥发产品事业部资深总监Jithender Majjiga表示:“我们的顾客鼓励我们在现有的并列式nvSRAM产品线中,扩增这些序列界面产品,因为nvSRAM是一种可行而且高度量产的CMOS基础解决方案。其他厂商的解决方案都采用非标准制程技术,因此顾客很难得到稳定的单一货源。Cypress可靠且弹性的供应链,加上高品质的制造技术,有充分的能力满足序列产品市场的大量需求。 ”

作为SONOS制程技术的领导者,Cypress正将S8技术套用到新一代PSoC 混合信号阵列元件、可编程时脉等众多产品。 SONOS相容于标准CMOS技术,并提供多不胜数的优点,包括高耐用度、低功耗以及抗辐射等。 Cypress的S8? 0.13微米SONOS技术已在其内部晶圆厂与多家晶圆代工伙伴的工厂中通过测试验证。 SONOS提供更卓越的扩充性与可制性,胜过其他磁性或铁电型非挥发记忆体技术。

Cypress的序列nvSRAM提供I2C (1-Mbit: CY14B101J) 与SPI (1-Mbit: CY14B101QA) 界面,采用小底面积的8-SOIC与16-SOIC封装。此款元件提供512-Kbit、256-Kbit、以及64-Kbit 等密度版本,还可选购内建即时时脉的版本。新款元件目前开始送样,预计4月起开始量产。

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