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Cree关闭硅微波业务专注SiC和GaN射频微波产品

2007-07-20 来源：微波射频网字号：大中小

Cree公司日前宣布，该公司将关闭旗下Cree Microwave公司不盈利的硅射频(RF)和微波半导体业务，将业务重点放在SiC和GaN射频以及微波产品方面。

Cree公司在美国加州Sunnyvale设有工厂，使用LDMOS(laterally-diffused metal oxide semiconductor)技术制造硅微波半导体。Cree Microwave将6月份接受最后一笔硅LDMOS产品订单，并在十二月关闭Sunnyvale工厂。根据一份报告，Cree公司将要解雇Sunnyvale工厂的80名雇员。

虽然Cree公司在3月27号结束的财政季度销售收入比上年同期增加，但是该公司的硅微波业务已经无利可图。在3月27日前的9个月，Cree公司这部分业务招致920万美元的税前亏损。

Cree公司预计，支付1,300万到1,500万美元作为关闭Sunnyvale工厂的费用，其中包括180万到190万美元的员工遣散费，600万到800万美元用来库存和设备损失，470万美元用于租约产生的费用。

据悉，Cree公司将继续使用Cree Microwave品牌，用于基于SiC和GaN技术的宽隙射频和微波产品。该公司也将在2005年稍晚，把Sunnyvale工厂生产肖特基二极管的业务转移到Durham工厂。