在我们之前的博客中,我们谈到《低压降(LDO)稳压器之理想与现实》,介绍了什么是LDO稳压器及其噪声参数的基本信息。今天,我们将进一步详细谈谈什么是噪声,它是如何分...
以5G为代表的Sub 6G通信射频系统非常复杂,尤其是那些需要使用高载波频率和宽频带的新技术,包括载波聚合、Massive MIMO等。为此,很多半导体公司在技术上全面开花希望...
现在,我们可以通过智能手机轻松确定位置和方向,如果回想古代探险家绕着圈子找路,尤其是在远离陆地的海上时,就会感到现在的导航技术更加神奇。早期导航依赖于星座,然...
今天的文章我们就探讨RF 转换器技术的进步如何使得新型数据采集系统和宽带无线电成为可能,并讨论软件配置的可行性。
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料,提供下一代功率器件的基础。与硅相比,SiC和GaN需要高3倍的能量才能使电子开始在材料中自由移动。因而具有比硅更佳的特性和性能。
毫米波长范围(30-300GHz)内除了其较低端外,还没有很好地被利用。而在成像,安全,医疗,和短距离无线传输以及数据速率不断提高的光纤传输中的新应用可能会迅速地改变这种状态
在本届MWCS大会上,中国联通联合上下游合作伙伴举办5G生态研讨会,Qorvo应邀出席,由Qorvo亚太区移动事业部市场战略高级经理陶镇为与会观众带来了Qorvo对于5G时代构建射频...
伴随着5G标准化的提速以及预商用大幕的开启,5G的脚步正变得越来越近。预计在2018年底5G产业链主要环节将基本达到预商用水平,推动5G更好、更快地发展,为5G规模试验及商...
氮化镓(GaN) 功率放大器(PA) 设计是当前的热门话题。出于多种原因,GaN HEMT 器件已成为满足大多数新型微波功率放大器需求的领先解决方案。
作为一项相对较新的技术,氮化镓(GaN) 采用的一些技术和思路与其他半导体技术不同。对于基于模型的GaN功率放大器(PA) 设计新人来说,在知晓了非线性GaN模型的基本概念(...
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