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  宽禁带技术 – 下一代功率器件

  碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料，提供下一代功率器件的基础。与硅相比，SiC和GaN需要高3倍的能量才能使电子开始在材料中自由移动。因而具有比硅更佳的特性和性能。

  发布时间：2018-07-24

  关键词：安森美，功率器件
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  用于甚高频率的半导体技术

  毫米波长范围（30-300GHz）内除了其较低端外，还没有很好地被利用。而在成像，安全，医疗，和短距离无线传输以及数据速率不断提高的光纤传输中的新应用可能会迅速地改变这种状态

  发布时间：2018-07-17

  关键词：甚高频，毫米波
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  备战5G商用化，Qorvo教你设计射频前端器件

  在本届MWCS大会上，中国联通联合上下游合作伙伴举办5G生态研讨会，Qorvo应邀出席，由Qorvo亚太区移动事业部市场战略高级经理陶镇为与会观众带来了Qorvo对于5G时代构建射频...

  发布时间：2018-07-11

  关键词：Qorvo，射频前端
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  5G发展道路中“绕不开”的射频关键技术

  伴随着5G标准化的提速以及预商用大幕的开启，5G的脚步正变得越来越近。预计在2018年底5G产业链主要环节将基本达到预商用水平，推动5G更好、更快地发展，为5G规模试验及商...

  发布时间：2018-07-10

  关键词：Qorvo，射频半导体
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  从入门到精通：非线性模型如何帮助进行GaN PA设计？

  氮化镓(GaN) 功率放大器(PA) 设计是当前的热门话题。出于多种原因，GaN HEMT 器件已成为满足大多数新型微波功率放大器需求的领先解决方案。

  发布时间：2018-06-28

  关键词：Qorvo，GaN
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  从入门到精通：GaN PA设计时I-V曲线中有什么？

  作为一项相对较新的技术，氮化镓(GaN) 采用的一些技术和思路与其他半导体技术不同。对于基于模型的GaN功率放大器(PA) 设计新人来说，在知晓了非线性GaN模型的基本概念（...

  发布时间：2018-06-28

  关键词：Qorvo，GaN
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  77GHz汽车雷达方案及集成芯片对比分析

  由于世界各国的汽车安全标准、汽车电子化水平不断提高以及人们对驾驶安全需求不断增长，具备主动安全技术的ADAS系统呈现快速发展的势头。传感器技术是汽车电子的关键核心...

  发布时间：2018-06-27

  关键词：毫米波雷达
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  5G无线与对集成度更高、速度更快的多功能设备的新要求

  5G的出现促使人们重新思考从半导体到基站系统架构再到网络拓扑的无线基础设施。在半导体层面上，硅基氮化镓的主流商业化开启了提高射频功率密度、节省空间和提高能效的大...

  发布时间：2018-06-12

  关键词：MACOM，MMIC
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  您的手机RF是否准备好使用5G？

  5G 发展狂潮给手机设计带来了巨大的RF 挑战。由于标准制定的时间线比较紧迫，基本RF 规格的关键细节仍存在不确定性，如功率回退水平、区域频段组合、上行MIMO 和补充...

  发布时间：2018-05-31

  关键词：Qorvo，射频半导体，5G
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  利用噪声频谱密度评估软件定义系统中的ADC

  不断丰富的高速和极高速ADC以及数字处理产品正使过采样成为宽带和射频系统的实用架构方法。半导体技术进步为提升速度以及降低成本做出了诸多贡献（比如价格、功耗和电路板...

  发布时间：2018-05-25

  关键词：ADI